Une stratégie de contournement qui pourrait redessiner la hiérarchie mondiale du secteur.
Le coût prohibitif de la puissance brute
Pendant des décennies, la puissance des semi-conducteurs a reposé sur une règle simple : graver toujours plus finement. Mais à mesure que la gravure atteint les 3, puis 2 nanomètres, chaque saut technologique devient un exploit d’ingénierie, accompagné de coûts vertigineux. Construire une usine de production en 2 nm demande aujourd’hui plus de 30 milliards de dollars. Quant à la recherche et développement, elle mobilise des montants colossaux : près de 100 milliards de dollars ont été investis en 2022 par les seuls TSMC, Samsung et Intel.
Ce modèle basé sur la performance brute montre ses limites. Les gains de puissance se réduisent, tandis que les risques industriels explosent. De plus, les sanctions américaines bloquent l’accès de la Chine aux technologies de lithographie EUV, en particulier les équipements de l’entreprise néerlandaise ASML. Pékin est donc contraint de trouver des voies alternatives.
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